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　　MOSFET和IGBT（绝缘栅双极晶体管）电能变换装置中的核心元件。IGBT采用MOS栅输入结构，开关主体是双极晶体管，兼有MOSFET的高输入阻抗、电压控制特点，又具有双极晶体管低饱和压降的优势，其显著特点是高速、高压、大电流。IPM是智能IGBT模块。GTR是达林顿模块。
 
MOSFET单管 IGBT单管 IPM模块
MOSFET模块 IGBT模块 GTR模块

 
 
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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